Магнитопроводимость пленок нитрида кремния в сильных электрических полях

Установлено ранее неизвестное явление диссипативного туннелировании в аморфных диэлектрических пленках, заключающееся в том, что под действием магнитного поля наблюдается увеличение туннельной прозрачности системы в сильных электрических полях. Явление возникает в результате рассеяния электронов на примесных центрах при движении под потенциальным барьером. Оно проявляется в увеличении проводимости и в смене знака магнитосопротивления с положительного на отрицательный с ростом внешнего электрического поля.