Особенности экситонных спектров кристаллов CdSe, обусловленные экситонами, локализованными приповерхностными флуктуациями потенциала

Исследованы особенности низкотемпературной фотолюминесценции (ФЛ) кристаллов CdSe. Изучены свойства новой полосы излучения $X$, обнаруженной в спектрах ФЛ ряда кристаллов при обычных интенсивностях возбуждения. Установлена высокая чувствительность $X$-полосы к внешним воздействиям — поверхностно-чувствительной электронной бомбардировке (ЭБ), засветке, а также температуре. В спектрах отражения ряда образцов с длинноволновой стороны от свободного экситона $A_{n=1}$ обнаружена особенность в виде интенсивного фона, чувствительного к ЭБ. Результаты объясняются наличием в приповерхностной области кристаллов зарядовых флуктуаций и их изменениями под действием ЭБ и температуры.