Рассеяние света в инверсионном слое МДП структуры в магнитном поле

Исследовано межзонное комбинационное рассеяние света в инверсионном слое системы металл–диэлектрик–полупроводник (МДП) в сильном магнитном поле при ${T=0}$. Вычислено дифференциальное сечение рассеяния света, которое имеет несингулярные осцилляции в нерезонансной области, тогда как в объемном случае они имеют корневую сингулярность. Осцилляции сечения резко выражены, если соотношение масс ${m_{c}/m_{b}\ll1}$ или уровень энергии электрического квантования расположен близко к верхнему краю ямы. Получены данные численного расчета для параметров GaAs.