Неупругая релаксация в твердых телах, связанная с нарушениями их поверхности

Изучалось внутреннее трение (ВТ) в твердых телах, имеющих различную структуру: кристаллическую — Si, GaP, GaAs, InP, InAs, CdTe, LiNbO$_{3}$, аморфно-кристаллическую — ситалл CT-50, аморфную — кварцевое стекло. Приготовленные из этих материалов образцы подвергались механической обработке абразивным порошком. На частоте изгибных колебаний 8$-$30 кГц, в интервале температур ${-70\div -50^{\circ}}$С, в каждом из образцов наблюдался пик ВТ. Приведены его параметры (энергия активации, частотный фактор и др.) для каждого из материалов. Установлена сильная зависимость высоты пика от амплитуды деформации, определена температура отжига. Предлагается механизм, который связывает ВТ с диффузионным движением кончиков микротрещин, образующихся в приповерхностном слое образца при его механической обработке. Произведен теоретический расчет дефекта модуля Юнга в таком образце. Сделанные согласно нему оценки с привлечением данных электронной микроскопии показали удовлетворительное совпадение теории с экспериментом. С позиций предложенного механизма можно объяснить и аналогичные пики ВТ, образующиеся при радиационном воздействии на материалы. Проведенные эксперименты по имплантации полупроводников Si и ряда соединений А$^{3}$B$^{5}$ ионами В, Fe, As, Zn и Р подтверждают это.