Теплопроводностный режим движения домена сильного поглощения в селениде цинка при действии лазерного излучения

Экспериментально исследовано движение домена сильного поглощения в селениде цинка под действием непрерывного лазерного излучения. Зарегистрированы два вида пульсаций прошедшего через образец излучения, обусловленные различным характером движения домена. Период пульсаций в эксперименте меняется от 10 до 600 мкс, средняя скорость движения домена составляет ${(1\div3)\cdot10^{2}}$ см/с. Обсуждается эффект пульсаций и движение доменов как в монокристаллическом, так и в поликристаллическом селениде цинка. Отмечается влияние деградации материала в области светового канала на движение домена. Для интерпретации результатов эксперимента использована модель теплопроводного режима движения домена в одномерном приближении. Результаты расчетов скорости движения домена находятся в хорошем согласии с экспериментально измеренным значением.