Механизмы, контролирующие кинетику электрического разрушения керамик в широкой области температуры

Для титаносодержащих сегнетокерамик (ВС-1 и Т-8000) измерены зависимости электрической долговечности $\tau$ (времени от момента приложения постоянного напряжения до пробоя) от температуры $T$ (в диапазоне 220$-$480 K) при различных значениях напряженности электрического поля. При повышенных температурах зависимость $\lg\tau(T^{-1})$ является линейной, что свидетельствует о термофлуктационном механизме подготовки к пробою; при пониженных температурах $\tau$ не зависит от $T$ (туннельный механизм). Температура перехода от термофлуктуационного механизма к туннельному лежит в области 300$-$400 K и зависит от величины приложенного поля. Анализ результатов показал, что долговечность керамик определяется скоростью перехода электронов с глубоких (${\sim1.4}$ эВ) локальных примесных уровней в зону проводимости и накоплением зарядов на межфазных границах до возникновения поля пробивной напряженности.