Влияние собственных упругих напряжений и искажения колебательного спектра на дефектообразование и диффузию в полупроводниках

Рассмотрено влияние упругого взаимодействия дефектов, связанных с ними локальных электронных уровней в запрещенной зоне и возмущения колебательного спектра кристалла на равновесные концентрации вакансий и примесных междоузельных атомов в однородно-легированном полупроводнике и сделана оценка этих эффектов. Исследовано влияние «фононного» взаимодействия дефектов и собственных (концентрационных) упругих полей на диффузию примеси замещения; показано, что в случае одномерной диффузии в толстую пластину последнее полностью компенсируется парным упругим взаимодействием дефектов — центров дилатации.