Изменение критической температуры Nb$_{3}$Sn в условиях неоднородного распределения радиационных дефектов

Проведено облучение тонкопленочных образцов Nb$_{3}$Sn различной толщины ионами H$^{+}$ с энергией 75 кэВ при температурах держателя образца 12 и 300 K. Измерены критические температуры облученных образцов в зависимости от флюенса ионного облучения.
Экспериментально показано, что в случае, когда величина проективного пробега ионов в Nb$_{3}$Sn больше толщины образца, изменение его критической температуры после облучения не зависит от температурных условий облучения; когда толщина образца превышает величину проективного пробега, т. е. радиационные дефекты распределены существенно неоднородно по толщине материала, нагрев облученных образцов от 12 до 300 K приводит к изменению критической температуры. Данный факт объясняется диффузионной миграцией радиационных дефектов.
Предполагается возможный механизм такой миграции; приводится оценка энергии миграции.