Связь энергетического распределения вторичных электронов с электронной структурой поверхности кристалла

В работе рассматривается процесс формирования энергетического распределения вторичных электронов в области малых энергий. Анализируется ситуация, когда на спектрах вторичных электронов (ВЭ) наряду с традиционным «каскадным» максимумом присутствует тонкая структура, обусловленная особенностями электронной структуры кристалла. Интерпретация известных из литературы и полученных экспериментальных данных по исследованию энергетического распределения ВЭ в области энергий ${E< 30}$ эВ проведена на основе модели, учитывающей искажение энергетической структуры кристалла вблизи поверхности. Показано, что эмиссия из слоя с нарушенной энергетической структурой (этот слой назван «переходным») ответственна за формирование в спектрах элементов каскадного распределения.