Аннотация:
В достаточно сильном магнитном поле уровни Ландау для двумерных электронов в инверсионном слое на поверхности полупроводника с высокими индексами Миллера превращаются в узкие одномерные магнитные зоны. Построена теория горячих электронов в этой системе в магнитном квантовом пределе. Появление нового канала электрон-электронного рассеяния, связанного с процессами переброса внутри магнитной зоны, приводит к установлению электронной температуры при всех реальных концентрациях электронов. При ее расчете учитывается рассеяние на точечных примесях и деформационном потенциале акустических фононов. По мере увеличения греющего электрического поля электроны все более равномерно заселяют магнитную зону. Следствием этого является появление $N$- или $S$-образных особенностей вольт-амперных характеристик в относительно слабых электрических полях (по сравнению с теми, при которых проявляются осцилляции Ваннье–Штарка).