Проявление энтропийной диссоциации экситонов в спектре излучения AgBr

Показано, что относительное число экситонно-примесных комплексов (ЭПК), образующихся в объеме полупроводника, является функцией скорости генерации электронно-дырочных пар, вид которой обусловливает нелинейность зависимости интенсивности излучения ЭПК от интенсивности возбуждения кристалла.