Оптическая ориентация по спину и выстраивание импульсов дырок в $p$-InAs

Исследуется циркулярное и линейное и двупреломление, возникающее при спиновой ориентации и выстраивании импульсов дырок в вырожденной зоне $\Gamma_{8}$ в полупроводниках группы A$_{\text{III}}$B$_{\text{V}}$. Рассчитано изменение тензора диэлектрической проницаемости на частоте $\omega$ при прямых оптических переходах дырок между подзонами вырожденной валентной зоны под действием интенсивной световой волны, частота которой $\omega_{0}$. Расчет проведен при произвольном соотношении между разностью частот (${\omega_{0}-\omega}$) и «затуханием» дырок.
Эксперименты по обнаружению двупреломления, обусловленного неравновесными дырками, ориентированными по спину или выстроенными по импульсу, проводились с использованием двух пучков света, полученных от одного СO$_{2}$-лазера. Показано, что из сравнения экспериментальных данных с развитой теорией можно оценить времена релаксации дырок по импульсу.