Поляризованная люминесценция глубоких центров в монокристаллах GaAs : Sn(Te)

Приведены результаты исследования поляризационных характеристик полос люминесценции с ${h\nu_{\max}=1.0}$эВ и ${h\nu_{\max}=1.2}$ эВ и спектров их возбуждения в низкоомном (${n=10^{17}\div10^{18}\,\text{см}^{-3}}$)GaAs $n$-типа, легированном Sn или Те. Методом поляризационных диаграмм доказана оптическая анизотропия соответствующих центров свечения и определена их симметрия. Для полосы 1.2 эВ она оказалась $C_{3}$. Установлено, что центр свечения 1.0 эВ является комплексом, состоящим из 3 атомов (тримером) с симметрией поглощающего-излучающего диполей вида $C_{3}{-}C_{3}$ либо $C_{2}{-}C_{3}$ ($C_{3}{-}C_{2}$). Доказывается взаимосвязь центров 1.0 и 1.2 эВ. На основании результатов поляризационных и спектральных измерений предлагается модель сложного анизотропного центра 1.0 эВ$-$Cu$_{\text{Ga}}{-}D_{\text{As}}{-}V_{\text{Ga}}$.