Распределение дефектов, образованных лазерным излучением в монокристаллах CdS

Исследованы равновесная проводимость, фотопроводимость и спектры экситонной люминесценции при послойном стравливании кристаллов CdS, облученных наносекундными импульсами света рубинового лазера. Показано, что различие электрических, фотоэлектрических и люминесцентных свойств приповерхностной области кристалла и его объема обусловлено двумя причинами: удалением межузельной серы из приповерхностной области и повышенной концентрацией дефектов в подрешетке серы вблизи поверхности. В глубине кристалла концентрация дефектов, образованных лазерным излучением (${V_{\text{S}}-\text{S}_{i}}$, ${V_{\text{Cd}}-\text{Cd}_{i}}$) не зависит от расстояния до поверхности.