Резонансное двухфотонное поглощение экситонными молекулами в кристаллах PbI$_{2}$, HgI$_{2}$

Для кристаллов PbI$_{2}$ и HgI$_{2}$ показано, что двухфотонное поглощение (ДФП) в состояния экситонных молекул происходит с участием поляритонов верхней поляритонной ветви (ВПВ). На основании зависимости ширины полосы ДФП от энергии кванта возбуждающего лазера $\hbar\omega_{\text{возб}}$ сделан вывод, что минимальный разогрев газа ЭМ столкновительными процессами имеет место, когда $\hbar\omega_{\text{возб}}$ превышает энергию дна экситонной зоны на целое количество энергий $LO$-фононов. Установлено, что область температурной стабильности ЭМ составляет 50 K в PbI$_{2}$ и 40 K в HgI$_{2}$.