Линейный фотогальванический эффект в полупроводниках A$_{3}$B$_{5}$ $p$-типа. 2. Баллистический вклад

Построена теория баллистического линейного фотогальванического эффекта, связанного с возникновением направленной скорости дырок при оптических переходах между ветвями вырожденной валентной зоны с участием фононов. Приведен количественный расчет баллистического и сдвигового вкладов в ЛФГЭ в $p$-GaAs. Результаты расчета сравниваются с ранее опубликованными экспериментальными данными.