Рентгеновские спектры отражения кристаллического $\alpha$-кварца и аморфных пленок SiO$_{2}$ и SiO$_{x}$

Приводится экспериментальное исследование методом отражения процесса формирования тонкой структуры спектров кислородных соединений кремния. В результате рассмотрения тонкой структуры спектров отражения $\alpha$-кварца, аморфной пленки SiO$_{2}$, системы Si$-$SiO$_{2}$ и аморфной пленки SiO$_{x}$ обнаруживается определяющая роль ближнего порядка в формировании тонкой структуры спектров отражения.
Приводится расчет глубины проникновения излучения в вещество для ${\vartheta=4^{\circ}}$ с использованием экспериментальных спектров отражения $\alpha$-кварца и сравнение рассчитанной величины с ранее полученной экспериментально.
Приводятся оптические постоянные $n$ и $\mu$ для $\alpha$-кварца и аморфной пленки SiO$_{x}$, рассчитанные с использованием экспериментальных спектров отражения.