Электронно-стимулированная подвижность дислокаций в полупроводниках с высокими барьерами Пайерлса

Заполнение носителями локализованных в дислокационных ядрах состояний приводит к изменению подвижности дислокаций в полупроводниках с высокими барьерами Пайерлса и позволяет с единой точки зрения качественно описать известные фото- и электромеханический эффекты, а также аномальное влияние электрически активных примесей на подвижность дислокаций в полупроводниках.