Влияние дислокаций на инфракрасное поглощение света в прямозонных полупроводниках

Теоретически исследована спектральная зависимость коэффициента поглощения света в прямозонных полупроводниках с дислокациями. Расчет проведен в квазиклассическом приближении для двухзонной модели полупроводника. Исследовано поглощение света на отдельной изолированной дислокации, а также системой ориентированных дислокаций, когда поглощение обусловлено переходами на глубокие дислокационные уровни. Произведен учет перекрытия деформационных полей дислокаций при описании края фундаментального поглощения.