Эффективное увеличение ширины $4f$-уровня самария в соединениях R$^{3+}_{x}$Sm$_{1-x}$B$_{6}$

Показано, что учет одноцентрового электростатического взаимодействия свободных и $4f$-электронов в модели промежуточной валентности эквивалентен увеличению ширины $4f$-уровня. Объяснен обнаруженный экспериментально эффект устойчивости состояния промежуточной валентности в соединениях R$^{3+}_{x}$Sm$_{1-x}$B$_{6}$ с ростом концентрации трехвалентных ионов.