Возникновение неоднородных структур при импульсном разогреве полупроводников

Численно проанализированы неоднородные распределения концентрации носителей тока и температуры фононов при разогреве полупроводников импульсным электромагнитным излучением. Показано, что если скорость нарастания неоднородных флуктуаций существенно превышает скорость однородного разогрева, то слабая неоднородность или начальный шум достаточно малой амплитуды приводят к образованию неоднородных структур с сильной модуляцией концентрации носителей и температуры решетки. Исследуется эволюция неоднородных структур во время нагрева при различных механизмах рассеяния носителей и способах нагрева полупроводников.