Механизм внутреннего фотоэффекта в щелочно-галоидных кристаллах при возбуждении примеси

Изучена фотопроводимость щелочно-галоидных кристаллов, возбуждаемая излучением дейтериевой лампы в полосах примесного поглощения. Обнаружено, что области температур спада фототока при охлаждении кристалла одинаковы для длинноволновой и коротковолновой полос и совпадают с областью температур установления термической стабильности активаторных электронных центров захвата. Результаты подтверждают предложенную авторами ранее модель эксимероподобного комплекса пространственно разделенных дефектов, объединенных молекулярной связью, в формировании которой принимают участие возбужденное состояние поглощающего иона и основное или возбужденное состояния центров захвата.