Оптическая ориентация в деформированных полупроводниковых кристаллах при произвольном направлении деформации

Изучалось влияние деформации на оптическую ориентацию в полупроводниках при произвольных углах между осью деформации и лучом возбуждающего света. На примере кристаллов GaSb и GaAs обнаружено, что при возбуждении электронов только из верхней отщепленной валентной подзоны средний спин фотоэлектронов не совпадает с направлением луча света. Отклонение спина приводит к изменению формы деполяризационных контуров Ханле. Проведен расчет контуров Ханле для различных случаев электронных переходов.