Кинетика перестройки фотоэлектрической доменной структуры

Теоретически рассмотрены переходные процессы, приводящие к перестройке фотоэлектрических доменов при скачкообразных изменениях приложенного напряжения. Показано, что при достаточно больших скачках за время порядка максвелловского происходит рассасывание существующих доменных стенок или образование новых. При малых скачках устанавливается квазистационарное движение доменных стенок, приводящее к медленной перестройке структуры. Предсказываются гистерезисные явления при переходных процессах, связанные с изменением числа доменов. Приводятся результаты моделирования на ЭВМ, качественно подтверждающие основные выводы теории.