Диполь-дипольное взаимодействие в кристаллах и сегнетоэлектрические свойства соединений A$^{4}$B$^{6}$

Рассматривается влияние дипольных сил на устойчивость поперечных оптических ($TO$) колебаний решетки при низких температурах в кубической фазе соединений А$^{4}$B$^{6}$ и других соединениях со структурой NaCl и GsCl. Дано доказательство дипольного механизма сегнетоэлектрической неустойчивости SnTe и GeTe и показано, что эффективность дипольного механизма полностью обусловлена аномальными диэлектрическими свойствами электронной подсистемы (большими значениями электронной диэлектрической проницаемости $\varepsilon_{\infty}$) и в конечном счете близостью кубической фазы соединении А$^{4}$B$^{6}$ к металлическому состоянию. Обсуждается влияние свободных носителей на вклад дипольных сил в частоту $TO$-колебаний и на устойчивость кубической фазы соединений А$^{4}$B$^{6}$. Рассмотрено влияние дипольных сил (внутреннего поля) на температурные зависимости $\varepsilon_{\infty}$, частот $TO$- и $LO$-колебаний решетки и низкочастотную диэлектрическую проницаемость $\varepsilon_{0}$. Показано, что стабилизация $TO$-колебаний в кубической фазе А$^{4}$B$^{6}$ при высоких температурах полностью обусловлена сильной температурной зависимостью $\varepsilon_{\infty}$ в кубической фазе А$^{4}$B$^{6}$.