Возможности метода внешнего фотоэффекта при дифракции рентгеновских лучей в скользящей геометрии

Метод внешнего фотоэффекта использован как в симметричной брэгговской, так и в скользящей Лауэ-геометриях дифракции рентгеновских лучей для исследования структуры приповерхностного слоя кристаллов GaAs и эпитаксиальных пленок Ge, выращенных на кристаллах GaAs. Показано, что комбинирование методик измерения угловой зависимости выхода фотоэлектронов при дифракции рентгеновских лучей в двух различных схемах позволяет получать информацию о структурном совершенстве приповерхностных слоев в двух взаимно перпендикулярных направлениях. Выявлено, что величина относительного изменения межплоскостных расстояний $\Delta d/d$ в тонких приповерхностных слоях для двух взаимно перпендикулярных направлений различается как по величине, так и по знаку.