Проявление носитель-ионного обменного взаимодействия в ЭПР доноров в слабо магнитолегированных полупроводниках

Дано теоретическое объяснение обнаруженному ранее экспериментально факту аномально малого сдвига ЭПР мелких доноров в ZnS при легировании кристаллов ионами Мn$^{2+}$ в сравнении с ожидаемым на основе данных о носитель-ионном обменном взаимодействии в полупроводниках А$^{2}$B$^{6}\langle$Mn$\rangle$. Показано, что учет вероятности взаимного расположения донорного центра и магнитной примеси в условиях, когда среднее расстояние между последними больше боровского радиуса для доноров, приводит к отклонениям характеристик ЭПР от ожидаемых в модели среднего обменного поля.