Определение поверхностной энергии вакансионных скоплений в облученном арсениде галлия

В высоковольтном электронном микроскопе JEM-100C производилось облучение утоненных фольг кристаллов арсенида галлия при температурах $350{-}400^{\circ}$С. Ось [110] кристалла совпадала с направлением электронного пучка. После облучения кристаллы исследовались с помощью высокоразрешающего микроскопа JEM-100C. Наблюдались комплексы дефектов, предшествующих их схлопыванию в дислокационные петли. Анализируя микрофотографии, разрешающие атомные ряды, и используя модель Томпсона для образования дислокационной петли, была сделана оценка поверхностной энергии для плоскости (111) кристалла арсенида галлия. Она оказалась равной 1100 мДж/м$^{2}$.