Электронно-дырочный механизм трения при колебаниях хемосорбированных атомов

В приближении сильной связи получено выражение для коэффициента трения, связанного с рождением электронно-дырочных пар в подложке, при произвольных колебаниях хемосорбированного на поверхности кристалла атома. Установлена связь коэффициента трения с локальной электронной структурой системы. Обсуждается роль трения в поверхностной диффузии адатомов по реконструированной и ступенчатой поверхности кристалла.