Экранирование экситонов в полупроводнике GaSe

Анализируются особенности изменения спектров пропускания, отражения и люминесценции слоистых кристаллов $\varepsilon$-GaSe в случае экранирования в системе экситонов высокой плотности и при экранировании экситонов свободными носителями. Участие долгоживущих носителей непрямой зоны позволило зарегистрировать процесс экранирования экситонов при низких уровнях непрерывного лазерного возбуждения.