Высокотемпературная восприимчивость сильно поляризуемых диэлектриков с дипольными примесями

Методом вириального разложения проведен расчет высокотемпературной диэлектрической восприимчивости сильно поляризуемых кристаллов с дипольными примесями. Показано, что в таких системах парные взаимодействия частиц могут увеличивать величину восприимчивости (а не уменьшать ее, как в обычных диэлектриках типа щелочно-галоидных кристаллов), что способствует возникновению сегнетоэлектрического упорядочения. Из анализа поведения восприимчивости оценена критическая концентрация примесей, ниже которой сегнетоэлектрический фазовый переход не реализуется и установлена область применимости теории среднего самосогласованного поля.