Температурные перестройки поверхности ионных кристаллов

Исследована температурная зависимость искажений решетки в приповерхностной области ионных кристаллов. На ионы поверхностной грани действуют достаточно сильные электрические поля, которые затягивают их в глубь образца из нормальных положений (т. е. положений в идеальной решетке в отсутствие смещений). Из-за нарушения симметрии для поверхностных ионов оказываются значительными эффекты ангармонизма. В результате смещения ионов существенно зависят от температуры и даже могут изменить свой знак. При искажении решетки на поверхности образуется двойной электрический слой. Его потенциал почти линейно меняется с температурой и также может изменить свой знак. При определенных, вполне реальных параметрах возможно коллективное смещение ионов вдоль поверхности, приводящее к возникновению двумерного сегнетоэлектрического упорядочения.