Кинетика накопления микродефектов при оптическом облучении прозрачных диэлектриков

Сочетанием методов комбинационного рассеяния света и акустоэмиссии в прозрачных диэлектриках исследованы закономерности накопления микродефектов вплоть до формирования очага разрушения под действием многократного лазерного излучения с допороговой плотностью энергии в импульсе. Показано, что первичными дефектами, образующимися при взаимодействии излучения с твердым телом, являются микротрещины, возникающие в результате коллективного распада химических связей, а не одиночные разорванные связи. Существование независимой от интенсивности облучения концентрации первичных дефектов, при достижении которой начинается ускоренный рост их размеров или числа, позволяет говорить о «концентрационном критерии» оптического разрушения. Время, необходимое для создания критической концентрации дефектов, характеризует устойчивость материала к действию многократного облучения.