Индуцированное светом перераспределение полей в силленитах (Bi$_{12}$SiO$_{20}$, Bi$_{12}$GeO$_{20}$)

В работе исследован ранее обнаруженный нами эффект «переключения» в структуре электрод–кристалл–электрод. На кривой зависимости фототока от интенсивности света при определенном ее значении наблюдается скачок, фототок увеличивается в несколько раз. Показано, что эффект имеет полевую природу, проявляется только в определенном спектральном диапазоне и зависит от условий на границе раздела электрод–кристалл. Предложено объяснение наблюдаемого эффекта, основанное на перераспределении поля в кристалле под действием света и нелинейном поведении тока в сильном поле вблизи электрода.