Перезарядка центров окраски в кристалле KI в поле импульсной радиации

Методом оптической спектроскопии с временным разрешением (${5\cdot10^{-9}}$ с) проведены сравнительные исследования процессов дефектообразования под действием единичных импульсов ускоренных электронов (${E=0.25}$ МэВ, ${j=10^{2}\,\text{А}\cdot\text{см}^{-2}}$ ${t_{\text{и}}=10^{-8}}$ с) в неактивированных кристаллах KI с различным содержанием накопленных в результате предварительного облучения $\alpha$-центров окраски (ЦО). В спектрах неустойчивого поглощения предварительно окрашенных образцов при 80 K обнаружены интенсивные полосы $F$ и $V_{k}$ ЦО, спонтанно разрушающихся после окончания возбуждающих импульсов путем взаимной туннельной излучательной рекомбинации. Показано, что малоинерционное создание $F$ и $V_{k}$ ЦО с ${\tau\leqslant7}$ нс обусловлено процессами захвата зонных электронов $\alpha$-центрами, локализацией дырочных компонент в виде $V_{k}$ в ближайшем к $F$ окружении. Сделаны выводы о том, что взаимодействие электронных возбуждений (ЭВ) с радиационными дефектами, являясь дополнительным каналом распада ЭВ, по эффективности могут превышать первичные реакции дефектообразования; с наличием обратимых преобразований типа ${\alpha\rightleftarrows\{F{-}V_{k}\}}$ может быть связан сублинейный ход кинетических кривых накопления ЦО.