Адсорбция и формирование тонкослойного покрытия золота на атомарно-чистой поверхности GaAs

Методами полевой электронной эмиссии исследованы начальные стадии формирования границы GaAs$-$Au. Измерены эмиссионные характеристики атомарно-чистой поверхности и их применение для ряда кристаллографических поверхностей при адсорбции золота. Приведено симметричное эмиссионное изображение атомарночистой поверхности GaAs при последовательном нанесении и удалении покрытия Au. Для объяснения результатов привлекается механизм перестройки электронной структуры поверхности полупроводника при адсорбции.