Наблюдение позитрониевых состояний в полупроводниках, облученных сильноточными пучками электронов и протонов

Приведены новые результаты экспериментальных исследований аннигиляции позитронов в полупроводниковых кристаллах Si и GaAs, облученных сильтоночными пучками заряженных частиц. Обнаружены позитрониевые состояния, локализованные в области радиационных нарушений вакансионного типа.