Примесное рассеяние и реализация тороидных упорядочений в кристаллах

В модели экситонного диэлектрика рассмотрено влияние примесного рассеяния на переход в тороидное состояние. Показано, что рассеяние на магнитной примеси, делает наиболее благоприятной реализацию тороидного спинового состояния, связанного с триплетным мнимым параметром порядка. Спин-орбитальное взаимодействие при рассеянии может привести к перепутыванию различных типов параметров, порядка и сосуществованию соответствующих им состояний: сегнетоэлектрического и тороидного спинового, антиферромагнитного и тороидного токового. В последнем случае в точке антиферромагнитного перехода должно наблюдаться скачкообразное уменьшение магнитной восприимчивости. Полученные результаты качественно применимы для описания рассеяния не только на примесях, но и на других хаотически расположенных неоднородностях (вакансиях, дислокациях и др.). Приведена классификация различных возможностей реализации тороидных упорядочений.