Дефокусировка лазерного излучения и механизм светонаведенного изменения показателя преломления в кремнии

Исследован эффект и динамика самовоздействия лазерного излучения в кристаллах кремния. Впервые показано, что дефокусировка лазерного излучения в кристаллах Si происходит из-за изменения степени заполнения примесных уровней. По зависимости дефокусировки лазерного луча от уровня возбуждения и температуры образца установлены энергетические положения этих уровней в $n$- и $p$-кремнии.