Влияние кинетических параметров свободных экситонов в CdSe на спектры барьерного фотоотклика

Исследованы спектры барьерного фотоотклика гетероперехода $n$CdS${-}n$CdSe в области экситонного поглощения CdSe и влияние на эти спектры напряжения смещения и дополнительной подсветки. Получено выражение для барьерного фотоотклика и проведен расчет для случая, когда свободные фотоносители рождаются в результате диссоциации генерированных светом экситонов в полупроводнике конечной толщины. Учтена диффузия экситонов и их аннигиляция на границах полупроводникового слоя. Из сравнения экспериментальных данных с результатами расчета сделана оценка длин диффузионного смещения экситонов $L_{ex}$ и дырок $L_{p}$ в CdSe. Показано, что при различных возможных значениях скоростей поверхностной аннигиляции экситонов и рекомбинации дырок ${25\,\text{нм}\lesssim L_{ex}\lesssim125}$ нм, ${L_{p}\lesssim90}$ нм. Обнаружен эффект самообращения экситонных линий в спектрах фотоотклика при дополнительной подсветке, который объяснен изменением соотношения между временами диссоциации и аннигиляции экситонов в области резонанса.