RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 1985, том 27, выпуск 10, страницы 3010–3012 (Mi ftt2349)

Электрические свойства суперионных кристаллов RbAg$_{4}$I$_{5}$ на СВЧ

А. П. Кеженис, А. С. Орлюкас, Г. И. Васкела, А. К. Иванов-Шиц

Вильнюсский государственный университет им.  В. Капсукаса

Аннотация: Исследованы температурные и частотные зависимости электропроводности $\gamma$ и диэлектрической проницаемости $\varepsilon$ кристаллов RbAg$_{4}$I$_{5}$ в диапазоне частот ${7\cdot10^{8}{-}5.3\cdot10^{10}}$ Гц в интервале температур 100$-$300 Ф.
Показано, что в интервале температур 118$-$122 K ${\gamma=\beta}$-RbAg$_{4}$I$_{5}$-фазовый переход (ФП) сопровождается скачкообразными изменениями $\sigma$ и $\varepsilon$, характерными для ФП первого рода, а в окрестности ${T\rightleftarrows208}$ K ${\beta\rightleftarrows\alpha}$ ФП наблюдается лишь изменение наклона на зависимости $\varepsilon(T)$. На СВЧ в $\beta$- и $\alpha$-RbAg$_{4}$I$_{5}$-фазах обнаружена релаксационного типа дисперсия. Представляется модель возможного механизма СВЧ дисперсии в разупорядоченных фазах RbAg$_{4}$I$_{5}$ кристаллов. Указывается, что при ${T=128}$ K на частоте электрического поля ${\nu=10^{9}}$ Гц релаксационный и фононный вклады в $\varepsilon$ этих кристаллов примерно в 2.3 раза превышает вклад электронной поляризации. Установлено, что при ${T=128}$ K на частоте ${\nu=5.3\cdot10^{10}}$ Гц ${\varepsilon=7}$ и полагается, что такое численное значение диэлектрической проницаемости может быть обусловлено низкочастотным плечом осциллирующих Ag$^{+}$ ионов в их локальных положениях, а также вкладом электронной поляризации.

УДК: 539.2:621.315.61.548.0:029.62

Поступила в редакцию: 16.10.1984
Исправленный вариант: 12.04.1985



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024