Электрические свойства суперионных кристаллов RbAg$_{4}$I$_{5}$ на СВЧ
А. П. Кеженис,
А. С. Орлюкас,
Г. И. Васкела,
А. К. Иванов-Шиц Вильнюсский государственный университет им. В. Капсукаса
Аннотация:
Исследованы температурные и частотные зависимости электропроводности
$\gamma$ и диэлектрической проницаемости
$\varepsilon$ кристаллов RbAg
$_{4}$I
$_{5}$ в диапазоне частот
${7\cdot10^{8}{-}5.3\cdot10^{10}}$ Гц в интервале температур 100
$-$300 Ф.
Показано, что в интервале температур 118
$-$122 K
${\gamma=\beta}$-RbAg
$_{4}$I
$_{5}$-фазовый переход (ФП) сопровождается скачкообразными изменениями
$\sigma$ и
$\varepsilon$, характерными для ФП первого рода, а в окрестности
${T\rightleftarrows208}$ K
${\beta\rightleftarrows\alpha}$ ФП наблюдается лишь изменение наклона на зависимости
$\varepsilon(T)$. На СВЧ в
$\beta$- и
$\alpha$-RbAg
$_{4}$I
$_{5}$-фазах обнаружена релаксационного типа дисперсия. Представляется модель возможного механизма СВЧ дисперсии в разупорядоченных фазах RbAg
$_{4}$I
$_{5}$ кристаллов. Указывается, что при
${T=128}$ K на частоте электрического поля
${\nu=10^{9}}$ Гц релаксационный и фононный вклады в
$\varepsilon$ этих кристаллов примерно в 2.3 раза превышает вклад электронной поляризации. Установлено, что при
${T=128}$ K на частоте
${\nu=5.3\cdot10^{10}}$ Гц
${\varepsilon=7}$ и полагается, что такое численное значение диэлектрической проницаемости может быть обусловлено низкочастотным плечом осциллирующих Ag
$^{+}$ ионов в их локальных положениях, а также вкладом электронной поляризации.
УДК:
539.2:621.315.61.548.0:029.62
Поступила в редакцию: 16.10.1984
Исправленный вариант: 12.04.1985