Некоторые кинетические процессы, связанные с лазерным отжигом полупроводников

Рассматривается смещение неоднородностей и сублимация атомов или ионов с поверхности кристалла, вызванные действием сил, которые возникают при рассеянии сильно неравновесных носителей заряда, имеющих пространственно-неоднородное распределение. Величина смещения сопоставляется с известными экспериментальными результатами. Оцениваются пороговые плотности энергии пикосекундных импульсов, вызывающих сублимацию и отжиг кристалла. Высказываются предположения, позволяющие распространить изложенные представления на область более длинных лазерных импульсов.