Термически активированная миграция дырок в щелочно-галоидных кристаллах

Методом импульсной спектроскопии исследована кинетика движения $V_{K}$-центров в щелочно-галоидных кристаллах. Предложена модель термически активированной миграции дырок с учетом туннельной рекомбинации электрона, виртуально изменившего свою энергию из-за локальной флуктуации в узле решетки, с дыркой, находящейся на колебательно-возбужденном уровне в потенциальной яме $V_{K}$-центра.