Термостимулированная экзоэлектронная эмиссия кристаллов CsBr при различных дозах ультрафиолетового и электронного возбуждения

Приведены результаты исследования термостимулированной экзоэлектронной эмиссии (ТСЭЭ) кристаллов CsBr, CsBr$-$Cd. Исследовано влияние дозы предварительного ультра- фиолетового (УФ) и электронного возбуждений (ЭВ) на структуру спектров ТСЭЭ и величину выхода экзоэлектронов (экзосумму). Анализируется возможность рекомбинационных механизмов экзоэмиссии. Сделана попытка идентификации центров окраски, принимающих участие в рекомбинационных процессах, обусловливающих экзоэмиссию (являющихся центрами экзоэмиссии) при определенных экспозиционных дозах УФ возбуждения. Обнаружено подавление ТСЭЭ при больших дозах предварительного УФ и электронного возбуждения. При ЭВ кристаллов в зависимости от плотности электронного потока наблюдается подавление ТСЭЭ при определенных флюенсах ${\Phi>\Phi_{\text{кр}}}$.