Экситоны, связанные с Ni в кристаллах ZnO и CdS

Исследованы спектры поглощения и электропоглощения кристаллов ZnO и CdS, легированных Ni при 4.2 K в области электрических полей 5$-$50 кВ/см. Для кристаллов CdS : Ni (концентрация Ni ${\sim10^{17}\,\text{см}^{-3}}$) наблюдается квадратичная зависимость пиков электропоглощения от электрического поля с насыщением в полях приблизительно 30 кВ/см. Полученные экспериментальные данные объясняются с учетом образования акцепторных [$d^{9}h$] и донорных [$d^{7}e$] экситонов, связанных с примесью Ni в ZnO и донорного [$d^{7}e$] в CdS : Ni. Оценивается пороговая энергия фотоионизации Ni в CdS и положение уровня Ni$^{2+}$ ($d^{8}$-конфигурация) относительно дна зоны проводимости.