Теория энергетических спектров эмиссии из непрямозонных полупроводников с отрицательным электронным сродством

Выполнен расчет процесса остывания неравновесных электронов в приповерхностной области пространственного заряда эмиттеров с отрицательным электронным сродством на основе GaP и Si. Получены формулы для энергетического спектра фотоэмиссии и вторичной эмиссии. Найдена вероятность выхода в вакуум электрона, дошедшего до границы квазинейтрального объема с приповерхностной областью пространственного заряда. В расчетах учтена как многодолинность рассматриваемых полупроводников, так и анизотропия энергетического спектра электронов в каждой из долин. Из сравнения результатов расчета с экспериментальными данными определены значения вероятности прохождения границы раздела полупроводник–вакуум и вероятности захвата на поверхностные состояния при одиночном столкновении электрона с эмиттирующей поверхностью.