Оптическое поглощение и излучательная рекомбинация на дислокациях в CdSe: модель конфигурационных координат

Исследованы спектр возбуждения и температурная зависимость параметров люминесценции ${\hbar\omega=0.96}$ эВ, связанной с дислокационными оборванными связями в CdSe. Показано, что совокупность экспериментальных результатов исследования дислокационных оптических переходов методами излучательной рекомбинации, поглощения и фотоиндуцированного поглощения удовлетворительно описывается в рамках модели конфигурационных координат. Установлено положение бесфононного перехода ${\hbar\omega=1.11}$ эВ в спектре оптических переходов, обусловленных оборванными связями дислокаций.