Микроконтактная спектроскопия соединений Ce$_{x}$La$_{1-x}$Cu$_{2}$Si$_{2}$

Проведены измерения зависимости дифференциального сопротивления ${R_{D}(V)=dV/ dI(V)}$ и его производной $d^{2}V/dI^{2}(V)$ точечных контактов из Ce$_{x}$La$_{1-x}$Cu$_{2}$Si$_{2}$ (${x=0}$, 0.3, 0.7, 1) и гетероконтактов между Мо или Сu и указанными соединениями. Установлено, что в моно-контактах из LaCu$_{2}$Si$_{2}$ выполняются условия, близкие к диффузионному режиму пролета электронов через сужение. На микроконтактных спектрах (зависимости $d^{2}V/dI^{2}(V)$) LaCu$_{2}$Si$_{2}$ наблюдались особенности при 13, 17, 37 и 48 мэВ, связанные с электрон-фононным взаимодействием в данном веществе. В случае CeCu$_{2}$Si$_{2}$ и его твердых растворов с La реализуется тепловой режим протекания тока, когда температура внутри сужения однозначно связана с напряжением на нем, а поведение $R_{D}(V)$ подобно зависимости удельного сопротивления массивного образца от температуры. Для таких контактов по теории теплового режима проведены количественные расчеты зависимости сопротивления от температуры, показавшие хорошее согласие с экспериментальными данными.
В случае гетероконтактов Мо или Сu с Ce$_{x}$La$_{1-x}$Cu$_{2}$Si$_{2}$ обнаружена асимметрия $R_{D}(V)$ в зависимости от направления тока через контакт. Показано, что наблюдаемая асимметрия связана в основном с термоэлектрическими явлениями, проявляющимися в тепловом режиме, однако в области малых напряжений (${eV\sim10}$ K) термоэлектрические эффекты не в состоянии описать экспериментальные данные. Отмечено, что для полного объяснения асимметрии $R_{D}(V)$ необходимо учесть наличие узкого резонанса в плотности состояния электронов CeCu$_{2}$Si$_{2}$ вблизи уровня Ферми при низких температурах.