Оценка ширины валентной зоны в кристаллах посредством метода электрон-позитронной аннигиляции

В работе получена связь импульсного распределения электронов с их энергетическими характеристиками в кристаллах. Показано, что экспериментальное измерение импульсного распределения электронов позволяет получить сведения о ширинах валентных зон электронов в кристаллах. Это дает возможность определить ширину валентной зоны на основе измерения кривых углового распределения аннигиляционных фотонов при аннигиляции позитронов в кристаллах. Проведенные измерения для монокристалла LiH дают оценку ширины валентной зоны для этих кристаллов.