Исследование методом ЭПР процессов оптического возбуждения и релаксации Si$-$S1-центров в облученном кремнии

Впервые в широком интервале температур (${2.5\div100}$ K) исследованы переходные процессы в ЭПР возбужденного состояния нейтральной кислородсодержащей вакансии в кремнии (Si$-$S1-центра). Из сопоставления результатов эксперимента с теоретическим расчетом установлено, что образование возбужденного триплетного состояния происходит с участием фотовозбужденных носителей тока, в отличие от ряда аналогичных систем, где реализуется внутрицентровое возбуждение. Неравновесность спиновых состояний триплета обусловлена селективностью процессов их распада, в то время как процессы образования оказываются неселективными. Обнаруженная выше 20 K температурная зависимость динамических характеристик системы обусловлена включением собственного спин-релаксационного механизма триплетных состояний.